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基于胶体球刻蚀法制备的有序半导体纳米阵列及其光学性质的研究

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【作者】 孙萍徐岭赵伟明李卫徐骏马忠元黄信凡陈坤基

【机构】 南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室

【摘要】 <正>我们用胶体刻蚀法制备出二维有序的 CdS 和 Si 纳米阵列,并对其光学性质进行了研究。制备方法如下:1)首先在衬底上自组装聚苯乙烯小球(PS 小球,尺寸为220nm)单层膜,2)接着用化学池沉积(CBD)法淀积 CdS 纳米晶薄膜;或将单层 PS 小球用做模版,用等离子刻蚀法直接刻蚀硅, 3)最后在有机溶剂中超声去除 PS,得到高度有序的二维 CdS 或 Si 纳米阵列。用扫描电子显微镜

  • 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
  • 【会议时间】2007-09
  • 【会议地点】中国甘肃兰州
  • 【分类号】TB383.1
  • 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所
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