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AlCl3诱导晶化法制备多晶硅薄膜
【机构】 兰州大学物理科学与技术学院；
【摘要】 <正>固相晶化方法可制备大晶粒的 poly-Si 薄膜,常规工艺存在退火温度高、时间长等问题。虽然采用金属诱导晶化可大幅度降低退火温度、缩短退火时间,但在晶化的过程中诱导金属易进入硅薄膜。诱导金属会以深能级杂质形式寄存于硅薄膜中,形成复合中心。在制备多晶硅薄膜时,由于 Al 在 Si 中以浅受主杂质的形式存在,而使得 Al 诱导晶化方法倍受青睐。本文的实验方法是采用在 a-Si:H 薄
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所