室温下高密度Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装

【作者】 赵伟明； 徐岭； 郑正； 孙萍； 李卫； 马懿； 张宇； 马忠元； 徐骏； 黄信凡； 陈坤基；

【机构】 南京大学固体微结构物理国家重点实验室；

【摘要】 <正>应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族半导体-CdSe,CdTe 纳米晶粒。CdSe 纳米晶粒是利用 CdCl2和 Na₂SeSO₃在反相胶束溶液中反应制备;CdTe 纳米晶粒是在水溶液中通过 Al₂Te₃和 Cd（ClO₄）₂的化学反应制备的。制备的 CdSe 和 CdTe 纳米晶粒,2.3nm 至5.0nm 左右,尺寸大小可控,单分散性好,标准偏差可达10%。紫外-可见光吸收谱（ABS）和光荧光谱（PL）具有以下更多还原