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基于MOS管的单电子旋转门：单电子传输，物理模型以及电路应用
【机构】 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 <正>基于 MOS 管的单电子旋转门(MOSFET-based single—electron turnstile)是一种新型的单电子传输器件。它由两个基于绝缘体上硅工艺的硅纳米线 MOS 场效应晶体管组成。它可以在较高温度下精确的高速传输指定数目的电子,具有结构简单,稳定性好的优点,并且容易和硅基大规模集成电路整合。在以往的工作中,我们在20K 下实现了单电子的精确传输,观察到了由于单电子传输引起的量子化电流。我们使用 MOS 管作为电荷计,检测到了电子经过旋转门注入到电子储存岛的
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TN386.1
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所