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Ⅳ-Ⅵ半导体量子点光学性质及理论模拟

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【作者】 徐天宁吴惠桢斯剑霄

【机构】 浙江大学物理系

【摘要】 <正>Ⅳ-Ⅵ半导体材料如 PbSe、PbTe 具有窄带隙,正温度系数,低俄歇复合率等优点,在制备中红外半导体激光器和探测器方面具有重要应用。量子点结构具有类原子特性,作为有源层能够有效降低激光器的阈值电流,提高工作温度,因而 PbSe 量子点结构是制备室温连续工作中红外激光器的

  • 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
  • 【会议时间】2007-09
  • 【会议地点】中国甘肃兰州
  • 【分类号】O472.3
  • 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所
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