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硫掺杂ZnO纳米线的电化学制备及发光特性
【机构】 兰州大学物理科学与技术学院；
【摘要】 <正>氧化锌(ZnO)是Ⅱ一Ⅵ族半导体材料,室温下具有较宽的能带隙(3.37 eV)和极高的激子激发能(60 meV)meV,这些本征的优点使其在紫外光电子方面有巨大的应用价值。而一维 ZnO 纳米线因其优异的光学性能、电学性能等特性,引起了越来越多的关注。虽然可以通过控制通过尺寸改变光学和电学性质,但掺杂同时也是改变光学和电学性质的有效方法。关于掺杂的 ZnO 纳米结构光学特
【基金】 甘肃自然科学基金(No．3ZS051-A25-034)
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TB383.1
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所