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自组装Si纳米环结构的制备和气相自限制生长模型

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【作者】 余林蔚陈坤基徐骏李伟王牧黄信凡

【机构】 南京大学物理系固体微结构物理国家实验室

【摘要】 <正>近年来,半导体量子环结构由于其本身所具有的独特的磁学特性和光电特性开始越来越受到各个方面研究的关注。本文报道在化学增强化学气相淀积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)系统中,利用交替进行气相淀积生长和等离子体刻蚀处理的方法,在 Si(100)

  • 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
  • 【会议时间】2007-09
  • 【会议地点】中国甘肃兰州
  • 【分类号】O472
  • 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所
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