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HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe
【机构】 西安理工大学；
【摘要】 <正>SiC 由于禁带较宽,对可见光和近红外光都不敏感,其光电子学应用因而受到极大限制。在 n-SiC 上异质外延生长 p-SiCGe 薄膜,通过调节 SiCGe 中各组分的比例来调节 SiCGe 材料的禁带宽度, 实现对近红外和可见光的较强吸收,进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用,具有很高的实用
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所