钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究

【作者】 王超； 张义门； 张玉明； 郝建民； 王悦湖；

【机构】 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室； 中国电子科技集团公司第46研究所；

【摘要】 <正>工作在微波频率下的 SiC 和 GaN 电子器件需要高质量的高阻 SiC 衬底。然而,对 SiC 而言很难生长出高纯度的高阻材料。由于高温生长时很难避免系统环境中氮元素和硼元素的掺入,生长出的大部分 SiC 晶片都呈现出施主或受主导电类型。在 SiC 中掺入杂质钒可以形成两性的深能级,补偿更多还原