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选区生长GaN基LED的研究
【作者】 方浩； 杨志坚； 王彦； 桑立雯； 赵璐冰； 于彤军； 沈波； 张国义；
【机构】 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心；
【摘要】 <正>选区生长作为一项外延技术已经被广泛应用于半导体材料和器件的研究中。近年来,由于Ⅲ族氮化物成为半导体材料研究领域的热点,这项技术也逐渐受到 GaN 基半导体材料研究者们的关注。利用选区生长技术得到的外延结构已经被应用于场发射器件,光学波导器什,刻面激光器等研
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TN312.8
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所