AIN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响

【作者】 尹甲运； 刘波； 袁凤坡； 梁栋； 冯志宏；

【机构】 专用集成电路国家级重点实验室；

【摘要】 <正>Si 衬底具有低成本、大尺寸和导热性好等优点,且 Si 衬底 GaN 基材料及器件的研制将促进 GaN 基器件与传统 Si 基器件工艺的集成,Si 衬底 GaN 外延越来越引起人们的注意。由于 GaN 和 Si(111)之间的晶格失配(～17%)较大,造成在 GaN 外延层中高的位错密度,更重要的是 GaN 与 Si 的热膨胀系数差别达到54%,这会导致在降温过程中 GaN 材料受到较大的张应力而产生微裂纹。一更多还原