HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC

【作者】 李青民； 陈治明； 林涛； 李连碧； 李佳；

【机构】 西安理工大学；

【摘要】 <正>在 SiC 的200多种同质异构体中,唯有3C-SiC 具有闪锌矿结构,且迁移率最高,更适合于制造高温、大功率、高速器件。近年来,Si 衬底上外延3C-SiC 的研究比较多,但3C-SiC 与 Si 衬底之间存在很大的品格失配和热失配,难以实用。随着6H-SiC 晶体生长技术的逐渐成熟和低成本化, 在6H-SiC 衬底上有可能真正实现3C-SiC 的实用化。本文介绍采用低压热壁化学气相淀积(LP-HW更多还原