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(Ga，Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象
【作者】 甘华东； 郑厚植； 刘江涛； 常凯； 姬扬； 刘剑； 孙宝权； 赵建华；
【机构】 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室；
【摘要】 <正>(Ga,Mn)As 是被人们研究得最为广泛的稀磁半导体材料,但是,并没有有力的实验证据来证明巨塞曼分裂的引入对它的能带结构的修正。迄今为止,在磁圆偏振光二向色性(MCD:Magnetic Circular Dichroism)的测量数据中还没有发现任何特征能够说明磁场诱导的巨塞曼分裂应该诱发的价带中重空穴 3/2和-3/2能带、轻空穴1/2和-1/2能带以及自旋-轨道劈裂的1/2和-1/2能带之间的相对位移。另外,目
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O484.4
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所