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应用MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究
【作者】 陶志阔； 张荣； 崔旭高； 修向前； 谢自力； 顾书林； 韩平； 施毅； 江若琏； 郑有炓；
【机构】 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室；
【摘要】 <正>把自旋极化电流有效注入半导体材料之中,这是自旋电子学的一个重要课题。目前实验上实现自旋注入主要有以下两个途径:一是通过铁磁金属(如铁、钴等)或半金属材料(如 CrO2、Fe3O4等)把自旋电流注入半导体,二是通过具有铁磁性的稀释磁性半导体进行自旋注入。本文用 MOCVD 技术在 GaN
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O484.1
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所