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MOCVD法生长(Ga，Mn)N材料的磁学和电子结构特性
【机构】 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心；
【摘要】 <正>通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。光电子能谱(XPS)分析表明由于 Mn 在 GaN 中的受主行为,随着 Mn 浓度的增加,Ga3d 以及 N1s 的结合能都下
- 【会议录名称】 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十六届全国半导体物理学术会议
- 【会议时间】2007-09
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】O471.5
- 【主办单位】兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所