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InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
【机构】 中国科学院物理研究所北京电镜实验室；
【摘要】 <正> 量子阱或超品格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的要
【基金】 国家自然科学基金(No.50272081);国家科技部973重大项目(No.2002CB613500)
- 【会议录名称】 第十三届全国电子显微学会议论文集
- 【会议名称】第十三届全国电子显微学会议
- 【会议时间】2004-08
- 【会议地点】中国威海
- 【分类号】O482
- 【主办单位】中国物理学会