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电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟
【机构】 中国科技大学结构分析重点实验室物理系；
【摘要】 <正> 电子束光刻不受衍射效应的限制,具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前,国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。
【基金】 国家自然科学基金(No.60306006,10025420,90206009)
- 【会议录名称】 第十三届全国电子显微学会议论文集
- 【会议名称】第十三届全国电子显微学会议
- 【会议时间】2004-08
- 【会议地点】中国威海
- 【分类号】TB30
- 【主办单位】中国物理学会