【作者】 路秀琴； 刘建成； 郭继宇； 张庆祥； 黄治； 张振龙； 郭刚； 沈东军； 惠宁； 倪嵋楠； 孔福全； 韩建伟；

【Author】 LU Xiu-Qin LIU Jian-Cheng GUO Ji-Yu ZHANG Qing-Xiang HUANG Zhi ZHANG Zhen-Long GUO Gang SHEN Dong-Jun HUI Ning NI Mei-Nan KONG Fu-Quan HAN Jian-Wei (China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China) (Centen for Space Science and Application Reseach, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China)

【机构】 中国原子能科学研究院核物理所； 中国科学院空间科学与应用研究中心；

【摘要】 介绍一种实验确定微电子器件单粒子翻转(SEU)灵敏体积(Sv)厚度d的方法．用从低到高不同能量的重离子辐照微电子器件,测量其SEU截面随离子射程的变化曲线σseu(r),用数学计算从σseu(r)和LET(r)函数提取d．利用测得的d和σseu(LET),经过模型计算可得到更精确的空间SEU率的预言值．更多还原

【Abstract】 A method of experimental determination of the sensitive volume(Sv)thickness d of microelectronic devices is presented. It is based upon the deconvolution of the functions of heavy ion upset cross sections versus the range of the incidentions σseu(r) , measured by varying the ion energy, and LET (r) . The measured σseu(LET) and d can be used for accurate prediction of the rate of Single Event Effects (SEE) in space.更多还原