【作者】 蒋向东； 张怀武； 文歧业； 钟智勇； 杨争； 唐晓莉；

【Author】 Xiang-dong Jiang~1, Huai-wu Zhang~1, Qi-ye Wen~1, Yang Zheng~2, Zhi-Yong Zhong~1, Xiao-li Tang~1 1 School of Microelectronics and Solid State Electronics,University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu,Sichuan,P.R.China. 610054 2 Analytical and Testing Center, SiChuuan University, Chengdu, Sichuan,P.R.China. 610041

【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院； 四川大学分析测试中心；

【摘要】 采用DSC热分析技术,结合XRD、TEM和AFM实验,对磁控溅射制备的Co_85.5Nb_8.9Zr_5.6非晶合金软磁薄膜,进行了变温和等温晶化动力学的研究。结果表明,升温晶化时,薄膜的晶化的表观激活能为99.82KJ/mol;局域激活能随晶化度增加;在等温晶化过程中,平均激活能为88.51KJ/mol,Avrami指数1.17～1.39,晶化行为主要是一维表面晶化,晶核长大受扩散控制的过程。更多还原