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锰氧化物异质结磁场效应及光伏特效应研究
【机构】 中国科学院物理研究所； 香港中文大学物理系；
【摘要】 <正> 利用脉冲激光沉积技术制备了几类典型的锰氧化物基p-n异质结,研究了异质结在磁场下的行为,观察到明显依赖于磁场的整流行为:5T的外磁场可以导致p-n结扩散电势和击穿电压近100%的增加。在弱p-n结中,1.7 T的外磁场可以导致高达1100%的正磁电阻效应。和单纯的锰氧化物不同,锰氧化物p-n结的结电阻磁场下增加,同时表现出对电流/偏压的强烈依赖。显然,磁电阻效应反映了锰氧化物p-n结的磁电子学特性,而其对电流/偏压的依赖则反映了p-n结的半导体特征,后
【基金】 国家自然科学基金;国家973计划的资助
- 【会议录名称】 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集
- 【会议名称】第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议
- 【会议时间】2004-05
- 【会议地点】中国天津/承德
- 【分类号】O482.5
- 【主办单位】中国物理学会磁学分会、中国电子学会应用磁学分会