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非晶和纳米晶丝中巨磁阻抗效应的计算模拟
【机构】 山东大学物理与微电子学院国家晶体材料重点实验室；
【摘要】 本文对丝状材料中的巨磁阻抗效应进行了数值分析,计算了丝材料半径、饱和磁化强度和电阻率对磁导率和GMI效应的影响。计算结果显示,磁导率随频率的变化趋势基本与实验相符,实部单调下降,而虚部出现峰值,且两者交于峰值附近。饱和磁化强度M_s的增加使得磁导率增加,从而导致GMI效应的增强。而丝半径的增大和电阻率的降低则通过增强材料的的趋肤效应而使得GMI增加。
- 【会议录名称】 第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集
- 【会议名称】第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议
- 【会议时间】2004-05
- 【会议地点】中国天津/承德
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国物理学会磁学分会、中国电子学会应用磁学分会