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Si衬底上原子层淀积Al2O3薄膜的界面层抑制
【机构】 复旦大学微电子学系；
【摘要】 在原子层淀积高k栅介质工艺中,如何抑止Si衬底与高k栅介质的界面层生长非常重要。因为界面层的存在不仅降低了栅介质的有效介电常数,而且会增加界面缺陷,导致器件性能变差。通过TMA预处理,我们发现可以把原子层淀积Al2O3薄膜的界面层从1．7nm降低到0．5nm。XPS分析表明,在原子层淀积起始生长周期中,TMA预处理增强了界面的生长,但整个35个生长周期后界面层却被抑止了。我们提出了一个简单的模型合理地解释了观察到的实验现象。
- 【会议录名称】 第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集
- 【会议名称】第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛
- 【会议时间】2006-08
- 【会议地点】中国甘肃兰州
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国机械工程学会表面工程分会