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纳米ZnO薄膜掺磷和硼的俄歇分析
AUGER ANALYSIS OF NANO-ZnO THIN FILMS DOPED P OR B
【作者】 王文青； 艾家和； 高军； 韩晓英； 宋淑芳； 赵金茹；
【Author】 WANG Wen-qing(No52. institute of china ordnance and industries,Baotou 014034,China)
【机构】 中国兵器工业第五二研究所； 北京科技大学； 包头蓝亚光电科技有限公司； 中国科学院半导体研究所；
【摘要】 用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻。改变扩散温度可以改变磷、硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为850℃和800℃。
【Abstract】 The effect of the doped P or B on the electrical property of Nano-ZnO thin film is investigated by Scanning Auger Microprobe (SAM ).Results show that the electrical resistance of the Nano-ZnO thin film decreases greatly after it is doped with P or B.The heat-treatment temperature is changed,the concentration of P or B will be changed.And the greater the Zn/O stoichiometric ratio,the less the.electrical resistance.The electrical resistance of the surface layer of the thin film reaches the lowest when the thin film is doped with P and heat-treated at 850℃or it is doped with B and heat-treated at 800℃.
- 【会议录名称】 全国材料理化测试与产品质量控制学术研讨会论文专辑（物理测试部分）
- 【会议名称】全国材料理化测试与产品质量控制学术研讨会
- 【会议时间】2002-11
- 【分类号】TB383
- 【主办单位】中国机械工程学会理化检验分会、《理化检验》杂志社、上海材料研究所