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氢气在单壁碳纳米管中及附的计算机模拟

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【作者】 顾冲高光华于养信毛宗强

【机构】 清华大学化工系清华大学核研院

【摘要】 采用巨正则系综的蒙特卜罗方法(GCMC)模拟在常温(T=293K)时氢气所在单壁碳纳米管中的吸附过程.氢气分子之间、氢气分子与碳原子间的相互作用采用Lennard-Jones模型.其中将氢气对整个碳纳米管中所有碳原子的作用进行加和,以获得氢气分子与单根给定半径的碳纳米管的相互作用模型.模型得到了压力由0.05MPa到10MPa,温度由80K到500K的广泛的操作工况内,碳纳米管的各种不同的结构对于氢气吸附的影响.

  • 【会议录名称】 中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】中国太阳能学会2001年学术会议
  • 【会议时间】2001-10
  • 【会议地点】中国青岛
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国太阳能学会
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