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多晶硅晶界传输特性

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【作者】 孟凡英； 崔容强；

【机构】 上海交通大学物理系太阳能研究所；

【摘要】 <正>通过建立晶界结构模型和晶界势垒分布模型,我们得到了改善的电流-电压特性表达式,来深入理解多晶硅晶界的电学特性,研究了多晶硅电阻率随掺杂浓度和势垒高度的变化关系.结果表明电阻率随晶界势垒高度的增加而增加,而且,在晶粒尺寸为102nm左右,晶界电阻率(ρgb) 比晶粒电

  • 【会议录名称】 中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】中国太阳能学会2001年学术会议
  • 【会议时间】2001-10
  • 【会议地点】中国青岛
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国太阳能学会
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