热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究

【作者】 冯勇； 朱美芳； 刘丰珍； 刘金龙； 韩一琴；

【机构】 中国科技大学研究生院；

【摘要】 将热丝（钨丝）作为催化器平行地引入等离子体增强化学气相沉积,建立了热丝助PECVD沉积系统。在固定沉积气压、氢稀释度和射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度 T_f对硅薄膜晶化的影响。结果表明随着T_f的提高,沉积速率、硅薄膜晶化程度和晶粒大小明显增加,呈现半高宽为0.2度（220）优化生长方向,获得了高晶态比（0.95）的多晶硅薄膜。Raman散射谱Si-Si TO峰位于520.5 cm^-1,半高宽为 7.1cm^-1,表明热丝的引入有很好的晶化增强效果。更多还原