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掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响
【作者】 于振瑞； YasuhiroMatsumoto；
【机构】 南开大学光电子研究所； SEES CINVESTAV-IPN,Mexico City,Mexico；
【摘要】 本文报道一种新的多晶硅( Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响。结果证明:在250℃下可以在玻璃基底上生长出具有较大晶粒尺寸的薄膜Poly-Si材料,材料具有较好的电学性能。初始材料的掺杂浓度(B)对晶化效果有较大的影响:随着掺杂浓度的增加,晶粒尺寸、电阻率及迁移率均减小。
- 【会议录名称】 中国第六届光伏会议论文集
- 【会议名称】中国第六届光伏会议
- 【会议时间】2000-10
- 【会议地点】中国昆明
- 【分类号】O484.4
- 【主办单位】中国太阳能学会光伏专业委员会