单晶硅表面织构化的正交优化研究

【作者】 席珍强； 陈君； 李先杭； 王龙成； 余学功； 杨德仁； 蒋敏； 应啸；

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室； 浙江大学海纳集团半导体材料有限责任公司；

【摘要】 <正>一、引言 采用表面织构化技术可以十分有效地提高硅太阳电池对光的吸收,从而提高其转换效率。前人在单晶硅碱腐蚀表面织构化方面做了大量的工作,他们采用的腐蚀溶液一般都是由氢氧化钾|、水和异丙醇所组成的三相溶液。桑识宇等认为NaOH(或KOH)溶液的浓度、腐蚀时间、腐蚀温度、搅拌和异丙醇的浓度都是影响织构化的因数。而. chaoui等认为搅拌对织构化有负作用。通过实验分析,我们发现搅拌会造成金字塔大小的更加不均匀。因此在不考虑搅拌的情况下,我们采用正交实验的方法对单晶硅碱腐蚀表面织构化进行优化研究,用方差分析的方法讨论了碱腐蚀更多还原