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ICP干法刻蚀技术在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的应用
【机构】 武汉邮电科学研究院； 武汉光讯科技股份有限公司；
【摘要】 简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技术在InP基光电子器件制作方面的进展和应用前景。
【基金】 国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(2003CB314903)．
- 【会议录名称】 武汉市第二届学术年会、通信学会2006年学术年会论文集
- 【会议名称】武汉市第二届学术年会;武汉市通信学会2006年学术年会
- 【会议时间】2006-10-25;2006
- 【会议地点】中国湖北武汉;中国湖北
- 【分类号】TN304.05
- 【主办单位】武汉市人民政府;湖北省通信学会、武汉通信学会