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硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

The Quick Deposition of Silica Thick Films on Silicon

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【作者】 吴远大邢华郑伟刘国范张玉书

【Author】 Wu Yuan-da, Xin Hua, Zheng Wei, Liu Guo-fan, Zhang Yu-shu Department of Electronics Engineering, Jilin University, Changchun, 130023

【机构】 吉林大学电子系光电子国家重点实验室

【摘要】 本文采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积SiO2厚膜材料,材料膜厚达到40μm以上,生长速度率达8nm/分钟,然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2厚膜材料.并利用XRD、SEM、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析.

【Abstract】 The SiO2 thick films were deposited on silicon substrate by Flame Hydrolysis Deposition (FHD).The thickness of the films is up to 40μm, and the deposition speed is as high as 8 μm per minute. Then, the films were consolidated in electric furnaces both in vacuum and air ambience, and several kinds of states of silica were obtained, including of the uniform and transparent silica glass. Finally, the silica films were analyzed by meanings of XRD, SEM, microscope, etc.

【基金】 国家973项目资助(G200036602)
  • 【会议录名称】 全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议(OFCIO’2001)论文集
  • 【会议名称】全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议(OFCIO’2001)
  • 【会议时间】2001-10
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】TN254
  • 【主办单位】中国电子学会通信学分会、中国通信学会光通信专业委员会、中国光学学会纤维光学与集成光学专业委员会
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