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用XPS法精确测量硅片上超薄氧化硅的厚度
【机构】 中国科学院化学研究所；
【摘要】 <正>硅片表面的氧化物薄层之所以非常重要,是因为超薄SiO2层可用作新式栅极氧化物(gate oxide)。近年来,用于固体电路组合元件制作的栅极氧化物的厚度(纳米级)正逐渐变小。为要控制超薄氧化硅的厚度,必须对厚度进行精确测量。国际半导体技术路线图(ITRS)提出以1％的标准不确定度测量超薄门氧化物的要求。在工业上测量氧化物薄层厚度的常用方法是椭圆法,该法因其
- 【会议录名称】 2005年全国粉体设备—技术—产品信息交流会暨纳米颗粒测试与标准培训班论文集
- 【会议名称】2005年全国粉体设备—技术—产品信息交流会暨纳米颗粒测试与标准培训班
- 【会议时间】2005-09
- 【会议地点】中国北京
- 【分类号】TB43
- 【主办单位】中国颗粒学会、中国粉体工业技术协会、国家纳米科学中心、全国纳米技术标准化技术委员会