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高能质子引起器件单粒子效应的研究方法

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【作者】 刘杰侯明东张庆祥甑红楼孙友梅刘昌龙王志光朱智勇金运范

【机构】 中国科学院近代物理研究所

【摘要】 本文简略介绍高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法,包括核反应分析方法、半径验方法,介绍了质子和重离子翻转截面间的关系,并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率。

【关键词】 单粒子效应质子半导体器件
  • 【会议录名称】 实践五号卫生空间探测与试验成果学术会议论文集
  • 【会议名称】实践五号卫生空间探测与试验成果学术会议
  • 【会议时间】2002-09
  • 【会议地点】中国福建武夷山
  • 【分类号】V419.2
  • 【主办单位】中国空间科学学会空间探测专业委员会
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