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快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究

Study on the Oxygen Precipitation in Fast-Neutron Irradiated Nitrogen-Doped Czochralski Silicon by FTIR

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【作者】 陈贵锋刘丽丽李养贤李兴华蔡莉莉宋守丽李永章陈东风

【Author】 CHEN Gui-feng, LIU Li-li, LI Yang-xian , LI Xing-hua, CAI Li-li, SONG Shou-li, LI Yong-zhang, CHEN Dong-feng School of Material Science and Engineering, Hebci University of Technology, Tianjin 300130, China Shijiazhuang Pharma. Weisheng Pharmaceutical(Shijiazhuang) Co. Ltd. , Shijiazhuang 050035, China China Institute of Atomic Energy, Beijing 102413, China

【机构】 河南工业大学材料学院石药集团维生药业石家庄有限公司中国原子能科学院

【摘要】 研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的作用,对不同辐照剂量的样品先进行的不同温度和降温速率的RTP,再将其与没有经历RTP的样品放入单管扩散炉中进行1 100℃高温20 h 一步退火,保护气氛为氩气。利用常温傅里叶红外变换方法测量样品的间隙氧含量。利用低温傅里叶红外变换方法研究样品中的氧沉淀,光学显微镜用来观察样品体内的缺陷形貌。实验发现,RTP不能改变氧沉淀进程,但是低的降温速率有助于氮氧复合体及片状氧沉淀的生成。RTP温度越高,缺陷密度越低,清洁区越宽。

【Abstract】 The effects of rapid thermal process (RTF) on oxygen precipitation in fast-neutron irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon (NCZ-Si) were studied. Samples irradiated with fast-neutron and annealed at 1 100 ℃ for 20 h after anneal in quick anneal oven at different temperature and cooling rate in Ar. Fourier transform infrared absorption spectrometer (FTIR) was used to detect interstitial oxygen ([Oi]) concentration and the configuration of oxygen precipitation. Defects were observed using optical microscope. It was found that RTP couldn’t change the course of oxygen precipitation, but low cooling rate increases the formation of nitrogen-oxygen (NO) complexes and lamellar oxygen precipitation. Along with increasing the RTP temperature, defects density decreased and denuded zone (DZ) width increased.

【基金】 国家自然科学基金(50472034);河北省自然科学基金(E2005000048);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20050080006)资助
  • 【会议录名称】 第十四届全国分子光谱学术会议论文集
  • 【会议名称】第十四届全国分子光谱学术会议
  • 【会议时间】2006-07
  • 【会议地点】中国吉林长春
  • 【分类号】O613.72
  • 【主办单位】中国化学会物理化学委员会、中国光学会光谱委员会、吉林大学超分子结构与材料教育重点实验室
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