节点文献
电化学阳极氧化时间对多孔硅表面形态及孔隙率影响
Effect of electrochemical anodized time on the porosity and morphology of porous silicon
【Author】 Li Xue-ming Xu lin Liu Qiang (College of Chemistry and Chemical Engineering, ChongQing University, ChongQing 400044)
【机构】 重庆大学化学化工学院；
【摘要】 <正>多孔硅是一种新型纳米结构材料,在光子器件、光电子器件、传感器、载体介质等领域具有应用潜力,引起人们极大关注．多孔硅的表面形态和孔隙率是影响多孔硅理化性质的主要因素,而电化学阳极氧化条件则是影响多孔硅形态和孔隙率的关键．对此,本文拟研究阳极氧化时间对多孔硅的形态和孔隙率影响规律,为进一步制备高质量多孔硅提供技术支持．
【基金】 国家自然科学基金(20007006和10476035)资助项目
- 【会议录名称】 第十三次全国电化学会议论文摘要集（下集）
- 【会议名称】第十三次全国电化学会议
- 【会议时间】2005-11
- 【会议地点】中国广东广州
- 【分类号】O646.5
- 【主办单位】中国化学化电化学委员会