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化学浸蚀温度对多孔硅粉形貌和比表面积影响

Effect of etching temperature on morphology and specific surface area of porous silicon powder

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【作者】 黎学明纪新瑞许林

【Author】 Li xue-ming Ji xin-rui Xu lin (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing, 400044)

【机构】 重庆大学化学化工学院

【摘要】 <正>多孔硅是一种具有以纳米硅原子簇为骨架的海绵状结构的新型功能材料,它具有比表面积大、生物活性高、可光致发光和电致发光等特征.自1990年L.T.Canham等发现多孔硅室温光致发光现象以来 ,研究人员对基于多孔硅的全硅光电子器件、传感器、生物医学材料等进行了广泛而深入的研究.目前, 多孔硅的制备方法主要是电化学阳极氧化法,这种传统的方法需要恒电流源、电解池等装置,其过程较复杂.相比之下,化学浸蚀法则操作简便,特别适宜粉状多孔硅材料的制备.因此,本文拟以廉价多晶硅粉为原料,采用化学浸蚀法研究不同浸蚀温度对多孔硅粉形貌和比表面积影响.

【基金】 国家自然科学基金(20007006和10476035)资助项目
  • 【会议录名称】 第十三次全国电化学会议论文摘要集(下集)
  • 【会议名称】第十三次全国电化学会议
  • 【会议时间】2005-11
  • 【会议地点】中国广东广州
  • 【分类号】O613.72
  • 【主办单位】中国化学化电化学委员会
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