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DFT研究金刚石半导体材料电子性质
【作者】 戴瑛；
【机构】 山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室；
【摘要】 <正>金刚石半导体材料具有宽禁带、抗辐射、热导率高及高载子迁移率等一系列突出的优异性质,其材料在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力。目前,人们已掌握了多种生产金刚石薄膜的技术并能制备具有多种结构特点的金刚石薄膜,然而还不能制造出金刚石优质电子器件。原因之一是无法得到可实用的n型导电金刚石薄膜。因此金刚石n型材料和金刚石类
【基金】 Sustentation fund:NSFC(10374060);Natural Science Foundation of Shandong Province(Y2003A01)
- 【会议录名称】 中国化学会第九届全国量子化学学术会议暨庆祝徐光宪教授从教六十年论文摘要集
- 【会议名称】中国化学会第九届全国量子化学学术会议
- 【会议时间】2005-10
- 【会议地点】中国广西桂林
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国化学会