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硅基MEMS加工技术
【机构】 北京大学微电子学研究所；
【摘要】 本文结合MEMS技术的发展历史,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层,集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力,以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是HEMS研究的重要手段。
- 【会议录名称】 2003年惯性仪表与元件学术交流会论文集
- 【会议名称】2003年惯性仪表与元件学术交流会
- 【会议时间】2003-08
- 【会议地点】中国辽宁丹东
- 【分类号】TN405
- 【主办单位】中国惯性技术学会惯性仪表与元件专业委员会、中国宇航学会飞行器惯性器件专业委员会