8-羟基喹啉铝薄膜光氧化和强度依赖的超快荧光特性

【作者】 刘彭义； 赵福利； 周翔；

【机构】 暨南大学理工学院； 中山大学物理科学与工程技术学院；

【摘要】 自有机电致发光获得突破性进展以来,在有机小分子发光材料中,8-羟基喹啉铝 (tris(8-hydroxyquinoline)aluminum,Alq3)作为有机发光材料的典型代表,具有成膜质量高、载流子迁移率高、热稳定性好、荧光量子效率高和发光谱带宽等特点,被广泛应用作各种不同类型的OLEDs发光层、掺杂器件的主体材料和载流子输材料,一直是人们关注的焦点。OLEDs的荧光发射源于单线态激子的辐射衰变,研究常见主体材料Alq3的激发态动力学的微观机制对深入地理解有关光电器件的工作机制和提高器件的光电性能具有指导意义。本文用时间分辨超快光谱研究了Alq3的光氧化和强度依赖的瞬态荧光特性。超快光谱实验结果表明:在环境大气中激发Alq3薄膜,其荧光寿命比在真空中激发所得寿命短(如图1),显示受激的Alq3分子在空气中不稳定,发生光氧化;随着入射脉冲激光平均功率的增加,其荧光寿命寿命变短(如图2),而且Alq3的荧光强度由线性增加变化到按平方根增加,显示出高密度的Alq3 激发态发生双分子湮灭。双分子湮灭和光氧化都会导致Alq3分子荧光效率降低,这预示着含Alq3的OLEDs 在制备、储运和工作时均应隔离空气,工作电流也不宜过大。更多还原