【作者】 尉吉勇； 黄柏标； 秦小燕； 张晓阳；

【Author】 WEI Jiyong1 HUANG Baibiao QIN Xiaoyan ZHANG Xiaoyang Institute of Crystal Materials, National Key Lab of Crystal Growth, Shandong University Jinan 250100

【机构】 山东大学晶体所晶体材料国家重点实验室；

【摘要】 利用MOCVD方法生长650nm发光波长的谐振腔发光二极管,利用光致发光谱和电致发光谱研究了其发光特性。由于上下布拉格发射镜的影响,导致其光致发光强度只有普通二极管的1/20;电致发光光谱纯度有了很大提高,半峰宽由普通二极管的20纳米降到4纳米以下。最好的器件测试结果表明可以在60mA,2.71V下,实现1.45mW以上发射功率。最窄半峰宽在3nm。更多还原

【Abstract】 Grow 650 nm wavelength RCLED by MOCVD, and characterize the emission property by PL and EL. PL intensity of RCLED is about 1/20 of common LED; EL purity enhanced from common LED’s FWHM about 20 nm decreased to RCLED’s FWHM of 3-4 nm. Characterize of device show that we can obtain 1.45 mW emission power at 60 mA, 2.71V.更多还原