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一种具有阶梯漂移区的新型SOI横向耐压结构
【机构】 南京邮电大学电子科学与工程学院； 东南大学射频与光电集成电路研究所；
【摘要】 本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构,并借助理论分析和二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。研究表明,阶梯漂移区结构可在提高击穿电压5～10%的同时,漂移区电阻大幅度降低48～52%,而且漂移区尺寸也可缩小10%。进一步研究表明,采用一阶或二阶阶梯漂移区即可达到接近线性漂移区的效果,同时具有工艺容差大、制造时无高温过程、工艺成本低等优点。
【基金】 中国博士后基金(20070411013);江苏省自然科学基金(BK2007605);江苏省高校自然科学基金(06KJB510077);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KF2007001)
- 【会议录名称】 2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集
- 【会议名称】2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
- 【会议时间】2008-11
- 【会议地点】中国浙江杭州
- 【分类号】TN386
- 【主办单位】中国电工技术学会