节点文献
150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
【作者】 刘道广； 王均平； 黄新； 陈思敏； 周伟松； 张斌； 王培清；
【机构】 清华大学电力电子厂；
【摘要】 本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导通电阻小于13毫欧,VDS大于150V,ID大于150A的好结果。
- 【会议录名称】 2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集
- 【会议名称】2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会
- 【会议时间】2008-11
- 【会议地点】中国浙江杭州
- 【分类号】TN386
- 【主办单位】中国电工技术学会