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离子注入制备Si基稀磁半导体研究

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【作者】 欧阳中亮郭立平黎明叶舟施训艾志伟彭挺付德君杜红林陈海英C.X.Liu

【机构】 武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室北京大学物理学院Department of Mathematics,Alabama A&M University,4900 Meridian Street,Normal,AL 35762

【摘要】 用200Kv Mn离子注入p型Si(001)单晶,在1×1015~5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加,饱和磁化强度有增强的趋势,退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小,增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐减小。对于高注入剂量样品,退火后Mn原子磁矩值较退火前显著减小,增加退火温度,磁矩值逐渐增加。对于低注入剂量样品,Mn原子磁矩值则呈现出随退火温度增加而略有增加,而后又大幅度减小。

【关键词】 稀磁半导体离子注入退火
【基金】 国家自然科学基金资助(10775108,10435060)
  • 【会议录名称】 2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会论文集
  • 【会议名称】2008年全国荷电粒子源、粒子束学术会议暨中国电工技术学会第十二届电子束离子束学术年会、中国电子学会焊接专业委员会第九届全国电子束焊接学术交流会、粒子加速器学会第十一届全国离子源学术交流会、中国机械工程学会焊接分会2008年全国高能束加工技术研讨会、北京电机工程学会第十届粒子加速器学术交流会
  • 【会议时间】2008-09
  • 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、中国电子学会焊接专业委员会、粒子加速器学会离子源专业组、中国机械工程学会焊接分会高能束焊接专业委员会、北京电机工程学会加速器专业委员会
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