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轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响

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【作者】 任晓堂王忠义谢大林

【机构】 北京大学物理学院重离子物理教育部重点实验室北京大学重离子物理研究所

【摘要】 利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响。初步结果显示,轻元素氧的掺入可以抑制铒在高温退火时向硅表面的扩散,减少退火时晶格缺陷的浓度,改变铒在硅晶体中的晶格位置。

【关键词】 离子注入背散射离子束沟道
【基金】 国家自然科学基金项目(10375006);教育部留学回国人员科研启动基金资助;
  • 【会议录名称】 2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集
  • 【会议名称】2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
  • 【会议时间】2006-10
  • 【会议地点】中国湖北武汉
  • 【分类号】TB34
  • 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、中国电子学会焊接专业委员会、粒子加速器学会离子源专业组、粒子加速器学会高压专业组、北京电机工程学会加速器专业委员会
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