节点文献
大面积均匀微波等离子体源的研制及其在SOI半导体材料制备工艺中的应用
【机构】 核工业西南物理研究院； 香港城市大学；
【摘要】 <正> 一、技术背景SOI(silicon on insulator绝缘层上的硅)技术被国际上公认为“二十一世纪的微电子技术”。由于该技术能突破体硅材料对深亚微米硅集成电路技术的限制,在抗辐照、低压低功耗电路,光通讯、MEMS、三维电路等领域都有着重要应用,所以受到各国军事及其他高科技领域的广泛重视。其应用领域也已从原来的国防军事领域扩展到量大面广的
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集
- 【会议名称】2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议
- 【会议时间】2004-08
- 【会议地点】中国乌鲁木齐
- 【分类号】TN304.05
- 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、粒子加速器学会离子源专业组、中国电子学会焊接专业委员会、北京电机工程学会加速器专业委员会