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共掺氧对铒在硅中微观结构的影响
【机构】 北京大学重离子物理研究所重离子物理教育部重点实验室；
【摘要】 稀土金属铒掺入硅半导体后,可以发出波长为1.54微米的红外光。在有轻元素杂质(如氧等)掺入的条件下,该红外光的强度会大大增强。发光强度的这种变化是与稀土金属铒在硅半导体中的微观结构相联系的。我们利用离子束背散射沟道技术测量了氧掺入Si:Er系统后,氧对铒在硅中微观结构的影响。初步结果显示,氧的掺入可以抑制铒在高温退火时向硅表面的扩散,改变铒在硅晶体中的晶格位置。
- 【会议录名称】 2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集
- 【会议名称】2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议
- 【会议时间】2004-08
- 【会议地点】中国乌鲁木齐
- 【分类号】TN304
- 【主办单位】中国电工技术学会电子束离子束专业委员会、粒子加速器学会离子源专业组、中国电子学会焊接专业委员会、北京电机工程学会加速器专业委员会