节点文献

具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理

The Breakdown Mechanism for SOI LDMOS with Local Holes Trench

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 郭永芳郭宇锋李肇基方健朱刚

【Author】 Yongfang Guo, Yufeng Guo, Z. J. Li, J. Fang, G. Zhu IC Design Center of UESTC, 610054

【机构】 电子科技大学IC设计中心

【摘要】 本文通过分析具有局域空穴槽结构的SOI LDWOS在反偏时电荷和电场分布,指出柬缚在空穴槽底部Si/SiO2界面的反型层空穴是提高器件耐压的主要原因,据此提出界面电荷耐压模型,分析该结构的SOI LDMOS的击穿机理,并将解析结果与MEDICI的模拟结果进行比较,表明该模型能较好的解释该结构的击穿机理。

【Abstract】 The Distribution of the charge and the electric field was analyzed for a novel SOI LDMOS with local holes trench in the paper. The Breakdown Voltage is increased by the holes that were bond in the bottom of trench. The breakdown model of interface charges was proposed to research the new structure. The comparisons between analytical and simulative results were shown that this model is reasonable.

  • 【会议录名称】 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集
  • 【会议名称】中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会
  • 【会议时间】2002-11
  • 【会议地点】中国深圳
  • 【分类号】TN432
  • 【主办单位】中国电工技术学会电力电子学会
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络