用于缩小投影曝光的反对称双磁透镜设计

【作者】 康念坎； 王理明； 顾文琪； 张福安；

【机构】 中国科学院电子学研究所； 中国科学院电工研究所；

【摘要】 电子束缩小投影曝光技术是制造下一代集成电路(0.1μm以下线宽)最有希望的途径之一。目前美、日等发达国家正在加紧开发这一技术,使之尽快成为21世纪微细电路的主要生产装备。作为缩小投影曝光装置核心部件的电子光学镜筒包括发射系统、照明系统和缩小投影系统三部分,而最终的分辨率主要由缩小投影透镜的电子光学性能所决定。我们采用反对称双磁透镜系统,它在理想状态下可以消除所有的各向异性象差,放大和旋转色差,以及各向同性畸变。但是实际结构中不可能满足所要求的理想条件。因此我们从实际结构出发,通过数值计算对系统的结构参数进行优化,找出透镜极靴间隙和孔径以及物象距(即掩模至工件的距离)等参数对象差和着靶束角等的影响,由此选取最佳的结构参数。计算表明,当物象距为400mm,反对称磁透镜的间隙和孔径分别为160mm和40mm(即缩小倍率为4∶1)时,对工件面上0.25×0.25mm~2面积的束斑,其边缘分辨率为35nm,可满足0.1μm线条的曝光要求。更多还原