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一维SiC纳米线的微结构分析
Microstructure Features of Silicon Carbide Nanowires
【作者】 张跃飞; 韩晓东; 郑坤; 刘显强; 张泽; 郝雅娟; 郭向云;
【Author】 Zhang Yuefei Han Xiaodong Zheng Kun Liu Xianqiang Zhang Ze Hao Yajuan Guo Xiangyun ( Institute of Microstructure and Property for Advanced Materials, Beijing University of Technology,Beijing, 100022; State Key Laboratory of Coal Conversion, Institute of Coal Chemistr, Chinese Academy of Sciences,Taiyuan,030001)
【机构】 北京工业大学固体微结构研究所; 中国科学院山西煤化所国家煤炭转化重点实验室;
【摘要】 本文利用透射电子显微镜(TEM)对碳热还原反应生成的一维SiC纳米材料的微结构和形貌进行研究和表征,从实验中发现SiC纳米线中含有大量的孪晶、高密度的层错、一维无序等亚结构,以及这些结构在一维方向的交替生长,利用 V-L-S生长机理对SiC纳来线的一维生长机制讲行了探讨。
【Abstract】 In this paper, using sol-gel carbothermal reduction process,a group of unique SiC nanowires are synthesized,including substructure of the straight nanowires. This paper focuses on a microstruc-tural and morphological investigation of these as-grown products by the transmission electron microscopy (TEM) and high resolution electron microscope (HREM) and proposes a growth mechanism based upon these experimental observations.
- 【会议录名称】 纳米材料与技术应用进展——第四届全国纳米材料会议论文集
- 【会议名称】第四届全国纳米材料会议
- 【会议时间】2005-12
- 【会议地点】中国山东省烟台市
- 【分类号】TB383.1
- 【主办单位】中国材料研究学会、山东省科学技术厅