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一维SiC纳米线的微结构分析

Microstructure Features of Silicon Carbide Nanowires

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【作者】 张跃飞韩晓东郑坤刘显强张泽郝雅娟郭向云

【Author】 Zhang Yuefei Han Xiaodong Zheng Kun Liu Xianqiang Zhang Ze Hao Yajuan Guo Xiangyun ( Institute of Microstructure and Property for Advanced Materials, Beijing University of Technology,Beijing, 100022; State Key Laboratory of Coal Conversion, Institute of Coal Chemistr, Chinese Academy of Sciences,Taiyuan,030001)

【机构】 北京工业大学固体微结构研究所中国科学院山西煤化所国家煤炭转化重点实验室

【摘要】 本文利用透射电子显微镜(TEM)对碳热还原反应生成的一维SiC纳米材料的微结构和形貌进行研究和表征,从实验中发现SiC纳米线中含有大量的孪晶、高密度的层错、一维无序等亚结构,以及这些结构在一维方向的交替生长,利用 V-L-S生长机理对SiC纳来线的一维生长机制讲行了探讨。

【Abstract】 In this paper, using sol-gel carbothermal reduction process,a group of unique SiC nanowires are synthesized,including substructure of the straight nanowires. This paper focuses on a microstruc-tural and morphological investigation of these as-grown products by the transmission electron microscopy (TEM) and high resolution electron microscope (HREM) and proposes a growth mechanism based upon these experimental observations.

【关键词】 SiC纳米线HREM微结构
【Key words】 SiCnanowiresHREMmicrostructure
【基金】 国家973基金资助项目(No.2002CB613500)
  • 【会议录名称】 纳米材料与技术应用进展——第四届全国纳米材料会议论文集
  • 【会议名称】第四届全国纳米材料会议
  • 【会议时间】2005-12
  • 【会议地点】中国山东省烟台市
  • 【分类号】TB383.1
  • 【主办单位】中国材料研究学会、山东省科学技术厅
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