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氮化物半导体量子点子带间红外吸收特性

Infrared Absorption Characteristic of Nitride Semiconductor Quantum Dots

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【作者】 蔡琳吕燕伍

【Author】 Cai Lin Lv Yanwu (Department of Physics, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044)

【机构】 北京交通大学物理系

【摘要】 本文用有效质量理论对Ga(1-x)AlxN/GaN量子点的红外吸收谱进行研究。采用差分方法求解量子点的薛定谔方程,给出量子点的导带子带能谱。计算发现量子点的基态束缚能随着Al分数x的增加而增大,随其半径的增大而减小。计算量子点的吸收系数发现,量子点的体积大小严格控制着它的光子吸收特征,量子点半径变小时,其吸收峰发生蓝移,相应吸收峰的峰值也越大,研究结果对于设计高性能的红外光电探测器和激光器具有指导意义。

【Abstract】 Studied infrared absorption spectra of Ga(1-x) AI/GaN with effective mass theory. The solution of. Schrodinger equation for quantum dots was solved by finite difference method. The conduction subbands of quantum dots have been given in this paper. It is found that the ground bound energies of quantum dots depend on the component x of Al, their values increase as the x rise, and decrease as the quantum dot radius enlarged. It is found that the volume size of quantum dots controls the material absorption character of photon, and the absorption peaks are blue shift and the magnitudes of peak raises as the reduction of quantum dot radius in calculation results. The results are very helpful in designing high quality infrared photodetector and laser.

【基金】 国家自然科学基金项目(No.60376014)
  • 【会议录名称】 2004年材料科学与工程新进展
  • 【会议名称】2004年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2004-11
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TN304
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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