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ZnO/SiO_x纳米电缆的制备、结构和生长机理

Synthesis Mechanism and Microstructure of ZnO/SiO_x Nanocables

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【作者】 贺建黄运华顾有松张跃戴英纪箴展晓元周成

【Author】 He Jian Huang Yunhua GU YousongZhang Yue Dai Ying Ji Zhen Zhan Xiaoyuan Zhou Cheng(Department of Materials Physics, University of Scienceand Technology Beijing, Beijing, 100083)(State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials,University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083)

【机构】 北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京科技大学材料物理与化学系

【摘要】 以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有“心线-壳层”同轴结构的ZnO/SiOx纳米电缆。扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其“心线-壳层”的独特结构。不同于以往ZnO一维纳米材料的三种快速生长方向<0001>,<0110>及<2110>,其ZnO芯的生长方向为[2021]。本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速度以及金硅共熔反应使ZnO/SiOx纳米电缆在硅基片上得到一维生长。

【Abstract】 ZnO/SiOx nanocables were synthesized on gold coated silicon (100) substrate by zinc powder evaporation at 550℃. SEM image showed the nanocables were obtained in large - scale and the lengths are up to several micrometers. TEM and EDX investigations confirmed the core - shell structure , and interestingly, the ZnO core was grown along a unique direction of [2021]. A possible mechanism was also proposed. Firstly, gold film served as catalyst and the nanocables grew out from the surface of Au-Si-Zn liquid alloys, secondly, tin powders were used as inhibitor to keep a low par- tial pressure of zinc vapor.

【关键词】 纳米电缆氧化锌氧化硅
【Key words】 core-shell nanocablesZnOSiOx
【基金】 国家杰出青年基金;国家自然科学基金(No.50325209,50172006,50232030);教育部留学回国人员科研启动重点基金支持
  • 【会议录名称】 2004年材料科学与工程新进展
  • 【会议名称】2004年中国材料研讨会
  • 【会议时间】2004-11
  • 【会议地点】中国北京
  • 【分类号】TB383
  • 【主办单位】中国材料研究学会
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